VMOS功率場管的外形和內部結構的示意圖如圖1所示。 圖1(b )是p溝道VMOS管的柵極形成為v溝狀，因此柵極表麵和氧化膜表麵的麵積大，有利於大電流控製。 由於柵極仍然與漏極、源極絕緣，VMOS管也是絕緣柵場效應管。 漏極d從芯片引出。 與MOS管相比，—源極和兩極麵積較大，二是垂直導電(MOS管沿表麵水平導電)，兩者決定了VMOS管的漏極電流ID大於MOS管。 電流ID流從重摻雜m型區域的源極通過p溝道進入輕摻雜N-漂移區域，到達漏極。 該管路耐壓高、功率大，廣泛用於放大器、開關電源、變頻器。 請注意散熱器的安裝，以免將管路放入燒杯中。

圖1 VMOS動力場效應器的外形和內部結構示意圖

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根據結構的不同，管子分為兩類。

VMOS管，即垂直導電v形槽MOS管；

VDMOS管，即垂直導電雙擴散MOS管。

這些結構分別如圖1-15(a )、(b )所示，(a )是VVMOS結構剖視圖，(b )是VDMOS結構剖視圖. 以VVMOS的結構為例，說明VMOS氣管的結構。

獲得垂直溝道的一種方法是在矽表麵形成v形槽，開始時在n襯底上生成n外延

層在該外延層內進行一次p型溝道體擴散，然後進行一次n源區擴散。 然後蝕刻v形槽，使其延伸到N-外延層內。 最後生長氧化掩模層。 通過金屬化提供柵極和其他必要的連接。 包括n源極區域和p溝道主體連接。

根據導電溝道的不同，VMOS管分為n溝道型和p溝道型兩種，可以對應雙極晶體管的npn型和pnp型。

作為一個示例，圖1-16描繪了n溝道擴展VMOS管的輸出特性曲線。 形狀上與雙極晶體管的輸出特性相似。 但是，內涵不同，這是由VMOS管的基本特性決定的。 將柵極/源極電壓Ugs作為參數繪製VMOS晶體管的輸出特性的各曲線，將基極電流Ib作為參數繪製表麵雙極型晶體管的輸出特性的各曲線。

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